| 含InGaN插入层的非故意掺杂高阻GaN的外延生长和特性研究 | |
| 刘建勋; 梁红伟; 夏晓川; 黄火林; 柳阳; 申人升; 骆英民; 杜国同 | |
| 2015 | |
| 会议名称 | 第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 |
| 会议日期 | 2015-10-30 |
| 会议地点 | 苏州 |
| 关键词 | GaN 非故意掺杂 高阻 InGaN插入层 |
| 页码 | 28-29 |
| 会议录 | 第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4413521 |
| 专题 | 大连理工大学 |
| 作者单位 | 1.大连理工大学物理与光电工程学院,大连,116024 2.大连理工大学物理与光电工程学院,大连,116024 3.吉林大学电子科学与工程学院,长春,130012 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘建勋,梁红伟,夏晓川,等. 含InGaN插入层的非故意掺杂高阻GaN的外延生长和特性研究[C]. 见:第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议. 苏州. 2015-10-30. |
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