| 射频溅射法制备Pb1-xCoxSe薄膜及物性研究 | |
| 黄良安; 周正国 | |
| 刊名 | 喷灌技术
 |
| 1999 | |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | 半磁性半导体 复合靶 电阻率 磁化率 |
| ISSN号 | 1001-4780 |
| DOI | 10.14188/j.1671-8836.1999.03.019 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4256104 |
| 专题 | 武汉大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄良安,周正国. 射频溅射法制备Pb1-xCoxSe薄膜及物性研究[J]. 喷灌技术,1999(03). |
| APA | 黄良安,&周正国.(1999).射频溅射法制备Pb1-xCoxSe薄膜及物性研究.喷灌技术(03). |
| MLA | 黄良安,et al."射频溅射法制备Pb1-xCoxSe薄膜及物性研究".喷灌技术 .03(1999). |
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