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	Indium-doped ZnO horizontal nanorods for high on-current field effect transistors
	Zhu, Ziqiang; Li, Borui; Wen, Jian; Chen, Zhao; Chen, Zhiliang; Zhang, Ranran; Ye, Shuangli; Fang, Guojia; Qian, Jun
刊名	RSC ADVANCES
	2017
卷号	7期号:87
ISSN号	2046-2069
DOI	10.1039/c7ra09105b
URL标识	查看原文
收录类别	SCIE ; EI
语种	英语
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4109310
专题	武汉大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Zhu, Ziqiang,Li, Borui,Wen, Jian,et al. Indium-doped ZnO horizontal nanorods for high on-current field effect transistors[J]. RSC ADVANCES,2017,7(87).
APA	Zhu, Ziqiang.,Li, Borui.,Wen, Jian.,Chen, Zhao.,Chen, Zhiliang.,...&Qian, Jun.(2017).Indium-doped ZnO horizontal nanorods for high on-current field effect transistors.RSC ADVANCES,7(87).
MLA	Zhu, Ziqiang,et al."Indium-doped ZnO horizontal nanorods for high on-current field effect transistors".RSC ADVANCES 7.87(2017).

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