纳米级SiC晶须的微波合成

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	纳米级SiC晶须的微波合成
	戴长虹，张劲松，杨永进，曹丽华，张显鹏，夏非
刊名	金属学报
	1995-11-23
期号	22 页码:473-476
关键词	SiC 晶须微波加热
中文摘要	以酚醛树脂、超细炭黑和超细ＳｉＯ２为原料，用微波加热的方法合成了直径在纳米级的ＳｉＣ晶须。用Ｘ射线衍射、分析电镜等手段对ＳｉＣ晶须进行了结构测定。比较并分析了不同的炭源和温度对ＳｉＣ晶须性能的影响．
公开日期	2012-04-12
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/28124]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	戴长虹，张劲松，杨永进，曹丽华，张显鹏，夏非. 纳米级SiC晶须的微波合成[J]. 金属学报,1995(22):473-476.
APA	戴长虹，张劲松，杨永进，曹丽华，张显鹏，夏非.(1995).纳米级SiC晶须的微波合成.金属学报(22),473-476.
MLA	戴长虹，张劲松，杨永进，曹丽华，张显鹏，夏非."纳米级SiC晶须的微波合成".金属学报 .22(1995):473-476.