AlN纳米线宏观阵列的制备

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	AlN纳米线宏观阵列的制备
	李志杰 ; 田鸣 ; 贺连龙
刊名	物理学报
	2011-09-15
期号	9 页码:669-674
关键词	AlN纳米线阵列模板法 CVD法 SEM
中文摘要	借助二次模板法成功的合成了AlN纳米线宏观阵列,并进行了表征.主要研究CVD法制备有一定取向,直径均匀的AlN纳米线宏观阵列的过程.通过气相沉积法和利用PS球自组装模板制备了金属纳米颗粒模板;再以模板上的金属纳米颗粒作为催化剂,利用化学气相沉积在模板上合成AlN纳米线宏观阵列.借助SEM,TEM观察所得样品,AlN纳米线阵列面积约为0.3mm×0.2mm,直径和长度分布均匀,平均直径约为41nm,平均长度为1.8μm左右,分散密度和覆盖率大的六角结构AlN纳米线宏观阵列.得到了可控制备AlN纳米线宏观阵列方法.
公开日期	2012-04-12
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/23318]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李志杰,田鸣,贺连龙. AlN纳米线宏观阵列的制备[J]. 物理学报,2011(9):669-674.
APA	李志杰,田鸣,&贺连龙.(2011).AlN纳米线宏观阵列的制备.物理学报(9),669-674.
MLA	李志杰,et al."AlN纳米线宏观阵列的制备".物理学报 .9(2011):669-674.