QQ客服 官方微博 反馈留言

	Investigation of defects in high-energy heavy ion implanted GaAs
	Chen, ZQ; Wang, Z; Wang, SJ; Hou, MD
刊名	APPLIED RADIATION AND ISOTOPES
	2000
卷号	52期号:1
关键词	heavy ion implantation gallium arsenide defects positron annihilation
ISSN号	0969-8043
DOI	10.1016/S0969-8043(99)00141-4
URL标识	查看原文
收录类别	SCIE ; EI
语种	英语
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/3984307
专题	武汉大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Chen, ZQ,Wang, Z,Wang, SJ,et al. Investigation of defects in high-energy heavy ion implanted GaAs[J]. APPLIED RADIATION AND ISOTOPES,2000,52(1).
APA	Chen, ZQ,Wang, Z,Wang, SJ,&Hou, MD.(2000).Investigation of defects in high-energy heavy ion implanted GaAs.APPLIED RADIATION AND ISOTOPES,52(1).
MLA	Chen, ZQ,et al."Investigation of defects in high-energy heavy ion implanted GaAs".APPLIED RADIATION AND ISOTOPES 52.1(2000).

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。