三维掩膜硅各向异性腐蚀工艺释放微悬空结构

	三维掩膜硅各向异性腐蚀工艺释放微悬空结构
	黄占喜 ; 吴亚明
刊名	微纳电子技术
	2011
期号	05
关键词	微悬空结构释放体硅工艺三维掩膜各向异性腐蚀腐蚀模拟
ISSN号	1671-4776
中文摘要	提出了一种新颖的基于三维掩膜的硅各向异性腐蚀工艺,即利用深反应离子刻蚀、湿法腐蚀等常规体硅刻蚀工艺和氧化、化学气相沉积(CVD)等薄膜工艺制作出具有三维结构的氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)薄膜,以该三维薄膜作为掩膜进行各向异性腐蚀,该工艺可以应用于MEMS微悬空结构的制作。利用该工艺成功地在单片n-Si(100)衬底上完成了一种十字梁结构的释放,并对腐蚀的过程和工艺参数进行了研究。
语种	中文
公开日期	2012-04-13
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/107041]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	黄占喜,吴亚明. 三维掩膜硅各向异性腐蚀工艺释放微悬空结构[J]. 微纳电子技术,2011(05).
APA	黄占喜,&吴亚明.(2011).三维掩膜硅各向异性腐蚀工艺释放微悬空结构.微纳电子技术(05).
MLA	黄占喜,et al."三维掩膜硅各向异性腐蚀工艺释放微悬空结构".微纳电子技术 .05(2011).