侧向腐蚀在1.3μm垂直腔面发射激光器中的应用

	侧向腐蚀在1.3μm垂直腔面发射激光器中的应用
	刘成 ; 曹春芳 ; 劳燕锋 ; 吴惠桢
刊名	固体电子学研究与进展
	2011
期号	03
关键词	侧向腐蚀电流限制孔径垂直腔面发射激光器
ISSN号	1000-3819
中文摘要	研究了广泛应用于垂直腔面发射激光器(VCSEL)等Ⅲ-Ⅴ族光电子器件制作的侧向腐蚀技术。分别采用C_6H_8O_7:H_2O_2溶液、HCl:H_3PO_4溶液对InAlAs材料、InP材料进行了侧向腐蚀试验,获得了较稳定的速率,并对其腐蚀机制和晶向选择性进行了分析。采用侧向腐蚀技术制备了电流限制孔径分别为11μm和5μm的1.3μm垂直腔面发射激光器,器件在室温下均连续激射。
语种	中文
公开日期	2012-04-13
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106971]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘成,曹春芳,劳燕锋,等. 侧向腐蚀在1.3μm垂直腔面发射激光器中的应用[J]. 固体电子学研究与进展,2011(03).
APA	刘成,曹春芳,劳燕锋,&吴惠桢.(2011).侧向腐蚀在1.3μm垂直腔面发射激光器中的应用.固体电子学研究与进展(03).
MLA	刘成,et al."侧向腐蚀在1.3μm垂直腔面发射激光器中的应用".固体电子学研究与进展 .03(2011).