采用InGaAs或InAlAs缓冲层的高In组分InGaAs探测器结构材料特性(英文)

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	采用InGaAs或InAlAs缓冲层的高In组分InGaAs探测器结构材料特性(英文)
	顾溢 ; 王凯 ; 李成 ; 方祥 ; 曹远迎 ; 张永刚
刊名	红外与毫米波学报
	2011
期号	06
关键词	光电探测器高In组分缓冲层 InGaAs InAlAs
ISSN号	1001-9014
中文摘要	利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子力显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和光致发光对它们的特性进行了表征和比较.结果表明,具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs缓冲层的结构都能获得较平整的表面;具有InxGa1-xAs缓冲层的探测器结构表现出更大的剩余应力;具有InxAl1-xAs缓冲层的探测器结构所观察到的光学特性更优.
语种	中文
公开日期	2012-04-13
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/106969]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	顾溢,王凯,李成,等. 采用InGaAs或InAlAs缓冲层的高In组分InGaAs探测器结构材料特性(英文)[J]. 红外与毫米波学报,2011(06).
APA	顾溢,王凯,李成,方祥,曹远迎,&张永刚.(2011).采用InGaAs或InAlAs缓冲层的高In组分InGaAs探测器结构材料特性(英文).红外与毫米波学报(06).
MLA	顾溢,et al."采用InGaAs或InAlAs缓冲层的高In组分InGaAs探测器结构材料特性(英文)".红外与毫米波学报 .06(2011).