氧化钇稳定的氧化锆上外延硅生长的研究

	氧化钇稳定的氧化锆上外延硅生长的研究
	陈庆贵 ; 史日华
刊名	应用科学学报
	1990
期号	03
ISSN号	0255-8297
中文摘要	<正> 绝缘衬底上高质量亚微米厚硅单晶膜的获得对于制成高速度、高集成度、低功能和抗辐射的集成电路十分重要.蓝宝石上外延硅膜的生长和其CMOS/SOS集成电路的研究已为国内外学者所重视.然而氧化钇稳定的氧化锆(Yt-tria-Stabilized cubic Zirconia简称 YSZ)上异质外延硅膜(Silicon on Ziroonia简称SOZ)的性能比SOS材料更好.这是因为,第一,立方结构YSZ与金钢石结构硅的晶格失配比SOS为小.第二,Zr,和Y元素不是电活性或弱电活性元素,故外延过程中的自掺
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/105196]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	陈庆贵,史日华. 氧化钇稳定的氧化锆上外延硅生长的研究[J]. 应用科学学报,1990(03).
APA	陈庆贵,&史日华.(1990).氧化钇稳定的氧化锆上外延硅生长的研究.应用科学学报(03).
MLA	陈庆贵,et al."氧化钇稳定的氧化锆上外延硅生长的研究".应用科学学报 .03(1990).