半导体离子敏感器件国内外发展概况

	半导体离子敏感器件国内外发展概况
	张桂成
刊名	传感器技术
	1987
期号	03
ISSN号	1000-9787
中文摘要	本文报导了近年来国内外离子敏感器件的发展概况,存在问题及其应用前景。
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104425]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	张桂成. 半导体离子敏感器件国内外发展概况[J]. 传感器技术,1987(03).
APA	张桂成.(1987).半导体离子敏感器件国内外发展概况.传感器技术(03).
MLA	张桂成."半导体离子敏感器件国内外发展概况".传感器技术 .03(1987).