Effect of hydrogen implantation on SIMOX SOI materials

	Effect of hydrogen implantation on SIMOX SOI materials
	Yi,WB ; Chen,J ; Chen,M ; Wang,X ; Zou,SC
刊名	CHINESE PHYSICS LETTERS
	2004
卷号	21 期号:1 页码:149-152
关键词	SILICON OXYGEN SEPARATION
ISSN号	0256-307X
通讯作者	Yi, WB, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Ion Beam Lab, Shanghai 200050, Peoples R China
学科主题	Physics ; Multidisciplinary
收录类别	SCI
公开日期	2012-03-24
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/95397]
专题	上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	Yi,WB,Chen,J,Chen,M,et al. Effect of hydrogen implantation on SIMOX SOI materials[J]. CHINESE PHYSICS LETTERS,2004,21(1):149-152.
APA	Yi,WB,Chen,J,Chen,M,Wang,X,&Zou,SC.(2004).Effect of hydrogen implantation on SIMOX SOI materials.CHINESE PHYSICS LETTERS,21(1),149-152.
MLA	Yi,WB,et al."Effect of hydrogen implantation on SIMOX SOI materials".CHINESE PHYSICS LETTERS 21.1(2004):149-152.