A NOTE ON THE SILICON-CARBIDE TRANSITION LAYER BETWEEN SILICON SUBSTRATE AND DIAMOND FILM | |
QIMIN,W ; QINGGUI,C ; RIHUA,S ; RONGKANG,D ; JIAN,Z | |
刊名 | JOURNAL OF HARD MATERIALS |
1995 | |
卷号 | 6期号:1页码:45-49 |
关键词 | NUCLEATION GROWTH |
ISSN号 | 0954-027X |
通讯作者 | QIMIN, W, CHINESE ACAD SCI,SHANGHAI INST MET,STATE KEY LABS TRANSDUCER TECHNOL,865 CHANGNING RD,SHANGHAI 200050,PEOPLES R CHINA |
学科主题 | Materials Science, Multidisciplinary |
收录类别 | SCI |
原文出处 | http://apps.webofknowledge.com/full_record.do?product=UA&search_mode=GeneralSearch&qid=186&SID=Q17j6Ejh3Mi@ML3HG1p&page=1&doc=1 |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2012-03-25 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/98668] |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_功能材料与器件_期刊论文(1999年以前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | QIMIN,W,QINGGUI,C,RIHUA,S,et al. A NOTE ON THE SILICON-CARBIDE TRANSITION LAYER BETWEEN SILICON SUBSTRATE AND DIAMOND FILM[J]. JOURNAL OF HARD MATERIALS,1995,6(1):45-49. |
APA | QIMIN,W,QINGGUI,C,RIHUA,S,RONGKANG,D,&JIAN,Z.(1995).A NOTE ON THE SILICON-CARBIDE TRANSITION LAYER BETWEEN SILICON SUBSTRATE AND DIAMOND FILM.JOURNAL OF HARD MATERIALS,6(1),45-49. |
MLA | QIMIN,W,et al."A NOTE ON THE SILICON-CARBIDE TRANSITION LAYER BETWEEN SILICON SUBSTRATE AND DIAMOND FILM".JOURNAL OF HARD MATERIALS 6.1(1995):45-49. |
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