| 题名 | GaN外延层与纳米线的制备及表征 |
| 作者 | 林朝通 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2009 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 齐鸣 |
| 关键词 | 氮化镓 纳米线 场发射 纳米掩膜 原位腐蚀 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 近年来，由于GaN基半导体材料与器件具有广阔的市场前景，因此吸引了人们浓厚的研究兴趣。伴随着半导体薄膜器件性能需求的日益提高以及新型纳米器件的不断出现，大家对GaN材料的制备要求也越来越高。本论文工作主要针对目前氮化镓研究领域的两个热点问题： 高质量GaN外延层的生长和GaN纳米线的制备及其应用探索。主要取得了如下结果： 1、 首次采用HCl气体辅助热蒸发GaN粉末源的方法成功制备了高质量竖直排列的GaN纳米线阵列，这一方法不需使用任何催化剂或掩膜，解决了传统GaN纳米线生长方法需要使用金属催化剂或掩膜而 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83194]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林朝通. GaN外延层与纳米线的制备及表征[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2009. |
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