| 题名 | InP基短波红外InGaAs探测器及其物理研究 |
| 作者 | 田招兵 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2008 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 张永刚 |
| 关键词 | InGaAs 短波红外 光电探测器 焦平面 空间遥感 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 本学位论文针对面向空间遥感应用的InP基短波红外InGaAs探测器阵列器件的要求，通过对器件结构参数的优化设计和工艺的优化研究，研制出了一系列适合空间遥感用的InP基晶格匹配和波长扩展的InGaAs探测器及其小规模阵列，并对器件特性进行了细致的表征分析。积极配合了上海技术物理所InGaAs红外焦平面的研制工作，为器件的工程化应用打下了良好的基础。本论文的主要结果总结如下： 1. 通过建立PIN型InGaAs探测器光响应的物理模型，对晶格匹配和波长扩展InGaAs探测器的光响应特性分别进行了模拟计算，结合探 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/83034]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田招兵. InP基短波红外InGaAs探测器及其物理研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2008. |
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