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题名	GaN外延生长中的SOI柔性衬底技术研究
作者	孙佳胤
学位类别	博士
答辩日期	2007
授予单位	中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）
导师	王曦
关键词	GaN SOI MOCVD 柔性衬底
学位专业	微电子学与固体电子学
中文摘要	GaN材料是目前所有Ⅲ—Ⅴ族氮化物中研究最多的材料之一。该材料属宽禁带半导体，直接带隙3.4eV，在长寿命、低能耗、短波长半导体发光二极管、激光二极管、紫外探测器以及高温微电子器件等方面有广阔的应用前景。推动GaN材料的应用，需要解决的关键问题之一就是外延衬底的选择。硅基衬底一直受到人们的普遍重视，但衬底同外延层之间存在不可忽视的晶格失配和热失配，严重影响GaN外延层的质量。 SOI柔性衬底技术是解决硅基GaN外延技术的突破点之一。近些年来，SOI材料作为一种新兴衬底材料，越来越受到广泛地重视。异质外延柔
语种	中文
公开日期	2012-03-06
内容类型	学位论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82870]
专题	上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文
推荐引用方式 GB/T 7714	孙佳胤  . GaN外延生长中的SOI柔性衬底技术研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  . 2007.

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