| 题名 | 基于金硅腐蚀自停止技术的亚微米梁制作研究 |
| 作者 | 陆荣 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2008 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 杨恒 |
| 关键词 | 亚微米梁 自停止腐蚀 电化学腐蚀 原电池 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 特征尺度在亚微米和纳米梁结构是多种纳微机电器件的基本结构。由于纳米梁对结构中的内应力非常敏感,所以一般采用单晶材料制作。纳米结构加工的控制精度要求较高,浓硼自停止所需的浓硼扩散层和电化学自停止腐蚀所需的pn结由于浅结制作难度高,导致制作亚微米和纳米厚度结构比较困难,往往需要使用SOI硅片等昂贵的衬底材料。 本论文研究了利用无电极电化学腐蚀自停止实现亚微米梁结构的制作方法。此方法利用无电极电化学腐蚀自停止技术中存在金、硅阈值暴露面积比的特点,通过控制腐蚀过程中梁结构暴露面积的变化实现腐蚀自停止,即当亚微米梁 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82809]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆荣 . 基于金硅腐蚀自停止技术的亚微米梁制作研究[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2008. |
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