| 题名 | 超薄SIMOX SOI材料的总剂量加固技术初探 |
| 作者 | 张帅 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2009 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） |
| 导师 | 张正选 |
| 关键词 | SOI 全耗尽 总剂量效应 Pseudo-MOSFET 硅纳米晶体 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 中文摘要 | 与部分耗尽（PD）SOI技术相比，全耗尽（FD）技术具有更好的抗单粒子事件和瞬时辐射等方面的能力，但是电学耦合效应使得FD SOI技术对总剂量辐照效应非常敏感。为了提高FD SOI材料的抗总剂量辐照能力，本文对商品化的超薄（顶层硅膜厚度<100nm）SIMOX材料进行了改性处理，比较研究了改性工艺对其总剂量辐照效应的影响，并对其机理进行初步探讨。 利用硅离子注入到超薄SIMOX SOI材料的BOX中，并对其进行高温退火处理形成了改性的超薄SIMOX SOI材料。为了准确快捷地表征SOI材料的总剂量效应，将 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-06 |
| 页码 | 73 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/82694]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_微系统、冶金所学位论文_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张帅. 超薄SIMOX SOI材料的总剂量加固技术初探[D]. 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） . 2009. |
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