InP基2—3μm波段量子阱研究

	InP基2—3μm波段量子阱研究
	顾溢 ; 张永刚
	2010
会议名称	第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
会议日期	2010
中文摘要	针对InP基2.3μm波段应变InGaAs量子阱结构,采用In0.53Ga0.47As/InaAs三角量子阱结构代替传统方势阱结构改善量子阱的应变情况,使得在相同应变量下量子阱的发光波长更长。利用气态源分子束外延生长In0.53Ga0.47As/InAs数字超晶格来等效构成三角量子阱结构,通过优化三角量子阱结构和生长条件参数,使样品在室温下光致发光波长大于2.4 μm,并采用数字超晶格生长垒层材料进一步改善了量子阱的发光特性。
会议网址	http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7390437.aspx
会议录	第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/55800]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	顾溢,张永刚. InP基2—3μm波段量子阱研究[C]. 见:第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议. 2010.http://d.wanfangdata.com.cn/Conference_7390437.aspx.