晶格失配度达2.6%的波长扩展InGaAs/InP光电探测器结构(英文)

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	晶格失配度达2.6%的波长扩展InGaAs/InP光电探测器结构(英文)
	顾溢 ; 李成 ; 王凯 ; 李好斯白音 ; 李耀耀 ; 张永刚
刊名	红外与毫米波学报
	2010
期号	02
关键词	时隙ALOHA 动态接入概率迭代算法
ISSN号	1001-9014
中文摘要	利用气态源分子束外延,采用相对较高的1.1%μm-1失配度变化速率,在InAlAs递变缓冲层上生长了晶格失配度高达2.6%的InP基InGaAs变形晶格探测器结构,并与采用相同结构而晶格失配度为1.7%和2.1%的探测器样品进行了比较。通过原子力显微镜、X射线衍射、光致发光和器件特性测试对样品进行了表征。结果显示该晶格失配度达2.6%的探测器结构具有较好的表面形貌、较大的晶格弛豫度和理想的光学特性。器件室温截止波长约为2.9μm,直径为300μm的器件室温下在反向偏压10mV时的暗电流为2.56μA。
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/52515]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	顾溢,李成,王凯,等. 晶格失配度达2.6%的波长扩展InGaAs/InP光电探测器结构(英文)[J]. 红外与毫米波学报,2010(02).
APA	顾溢,李成,王凯,李好斯白音,李耀耀,&张永刚.(2010).晶格失配度达2.6%的波长扩展InGaAs/InP光电探测器结构(英文).红外与毫米波学报(02).
MLA	顾溢,et al."晶格失配度达2.6%的波长扩展InGaAs/InP光电探测器结构(英文)".红外与毫米波学报 .02(2010).