长波长VCSEL结构中的欧姆接触工艺

	长波长VCSEL结构中的欧姆接触工艺
	刘成 ; 曹春芳 ; 劳燕锋 ; 曹萌 ; 吴惠桢
刊名	半导体光电
	2007
期号	05
关键词	注氧隔离绝缘体上硅(SOI) 总剂量辐射效应 MOS晶体管
ISSN号	1001-5868
中文摘要	简要叙述了欧姆接触工艺在长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)制作中的重要作用。采用圆环传输线方法(CTLM)研究了应用于长波长VCSEL结构的p型InGaAsP和InP材料与Ti-Au的接触特性,发现p-InGaAsP与Ti-Au经高温退火后能获得欧姆接触,其最低比接触电阻值可达6.49×10-5Ω.cm2。将此工艺结果应用于1.3μm VCSEL结构中,发现其开启电压和串联电阻显著减小。
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51268]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	刘成,曹春芳,劳燕锋,等. 长波长VCSEL结构中的欧姆接触工艺[J]. 半导体光电,2007(05).
APA	刘成,曹春芳,劳燕锋,曹萌,&吴惠桢.(2007).长波长VCSEL结构中的欧姆接触工艺.半导体光电(05).
MLA	刘成,et al."长波长VCSEL结构中的欧姆接触工艺".半导体光电 .05(2007).