Ⅲ/Ⅴ比对GaN等离子体辅助MBE生长的影响

	Ⅲ/Ⅴ比对GaN等离子体辅助MBE生长的影响
	隋妍萍 ; 于广辉 ; 俞谦荣 ; 齐鸣
刊名	光电子·激光
	2006
期号	08
关键词	高g加速度传感器压膜阻尼曲面过载保护冲击响应
ISSN号	1005-0086
中文摘要	在射频(RF)等离子体辅助分子束外延(MBE)系统中,采用低温缓冲层等一系列生长工艺制备出二维生长模式的GaN材料;通过研究Ⅲ/Ⅴ比的调节对GaN生长的影响,确定了微富Ga的MBE生长GaN的优化条件;对GaN富Ga和富N状态的表面形貌和结构进行了比较,富Ga条件下的GaN具有更好的表面和材料特性;通过Hall和光致发光(PL)谱测试研究了GaN的电学和光学性质,GaN的黄带发光(YL)与GaN中生成能最低的V和V缺陷态有关。
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50977]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	隋妍萍,于广辉,俞谦荣,等. Ⅲ/Ⅴ比对GaN等离子体辅助MBE生长的影响[J]. 光电子·激光,2006(08).
APA	隋妍萍,于广辉,俞谦荣,&齐鸣.(2006).Ⅲ/Ⅴ比对GaN等离子体辅助MBE生长的影响.光电子·激光(08).
MLA	隋妍萍,et al."Ⅲ/Ⅴ比对GaN等离子体辅助MBE生长的影响".光电子·激光 .08(2006).