SiO_2 8×8阵列波导光栅的研制

	SiO_2 8×8阵列波导光栅的研制
	李广波 ; 龙文华 ; 贾科淼 ; 唐衍哲 ; 吴亚明 ; 杨建义 ; 王跃林
刊名	光电子·激光
	2006
期号	03
关键词	碳纳米管场发射碳化铪薄膜
ISSN号	1005-0086
中文摘要	在Si基Si O2材料上设计并制作了中心波长为1.55μm、通道间隔为0.8nm的8×8阵列波导光栅(AWG)。详细介绍了器件的设计、制作和测试,并对测试结果及工艺误差进行了深入的分析讨论。封装后的测试结果显示,器件的3dB带宽为0.22nm;中央通道输入时,最小和最大插入损耗分别为4.01dB和6.32dB;边缘通道输入时,最小和最大插入损耗分别为6.24dB和9.02dB;对比不同通道输入时输出通道的中心波长,其偏移量低于0.039nm;器件的通道间串扰小于-25dB;偏振依赖损耗(PDL)小于0.3
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/50913]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	李广波,龙文华,贾科淼,等. SiO_2 8×8阵列波导光栅的研制[J]. 光电子·激光,2006(03).
APA	李广波.,龙文华.,贾科淼.,唐衍哲.,吴亚明.,...&王跃林.(2006).SiO_2 8×8阵列波导光栅的研制.光电子·激光(03).
MLA	李广波,et al."SiO_2 8×8阵列波导光栅的研制".光电子·激光 .03(2006).