非接触式IC卡天线的CMOS集成化设计

	非接触式IC卡天线的CMOS集成化设计
	倪昊 ; 徐元森
刊名	功能材料与器件学报
	2003
期号	02
关键词	双电层超电容器多孔活性碳电化学行为综合性能
ISSN号	1007-4252
中文摘要	用CMOS工艺实现了非接触式IC卡天线的集成化所需要考虑的多个方面,建立了集成天线的模型,导出了合理的设计方案,并通过实验验证了模型和设计方案。实验结果表明,采用片上天线完全可以提供非接触式IC卡工作所需要的能量。在频率为22.5MHz、感应强度为6Gs的磁场中,面积为2mm×2mm的集成天线可以为10kΩ的负载提供1.225mW的能量。
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49859]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	倪昊,徐元森. 非接触式IC卡天线的CMOS集成化设计[J]. 功能材料与器件学报,2003(02).
APA	倪昊,&徐元森.(2003).非接触式IC卡天线的CMOS集成化设计.功能材料与器件学报(02).
MLA	倪昊,et al."非接触式IC卡天线的CMOS集成化设计".功能材料与器件学报 .02(2003).