缓冲层对氮化镓二维生长的影响

	缓冲层对氮化镓二维生长的影响
	赵智彪 ; 齐鸣 ; 朱福英 ; 李爱珍
刊名	功能材料与器件学报
	2002
期号	02
ISSN号	1007-4252
中文摘要	报道了在射频等离子体(RF-Plasma)辅助的分子束外延(MBE)技术中,使用白宝石(0001)衬底,采用低温缓冲层工艺外延氮化镓(GaN)。通过原子力显微镜(AFM)的表面形貌比较及X射线双晶衍射(XRD)ω扫描摇摆曲线的分析,讨论了低温缓冲层成核机理及缓冲层生长温度与形成准二维生长的关系,确立了缓冲层的三维成核、准二维生长的生长机理,并在此基础上实现了氮化镓外延层更好地二维生长,进一步提高了氮化镓外延层的晶体质量。
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49816]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	赵智彪,齐鸣,朱福英,等. 缓冲层对氮化镓二维生长的影响[J]. 功能材料与器件学报,2002(02).
APA	赵智彪,齐鸣,朱福英,&李爱珍.(2002).缓冲层对氮化镓二维生长的影响.功能材料与器件学报(02).
MLA	赵智彪,et al."缓冲层对氮化镓二维生长的影响".功能材料与器件学报 .02(2002).