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	亚微米间隙微结构的制作方法及其制作的微机械谐振器
	熊斌 ; 徐德辉 ; 吴国强 ; 王跃林
	2010-12-15
专利国别	中国
专利号	CN101917174A
专利类型	发明
权利人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所
中文摘要	本发明涉及亚微米间隙微结构的制作方法及其制作的微机械谐振器，其特征在于亚微米间隙不是通过光刻定义，而是通过氧化多晶硅薄膜来制作，亚微米间隙的大小由多晶硅薄膜上的间隙和氧化工艺在多晶硅薄膜上生长的氧化硅厚度共同决定，并且直接利用氧化硅作为掩膜，通过刻蚀将亚微米间隙转移到器件结构层上。由于无需亚微米级光刻，工艺难度及工艺成本大大降低，利用氧化硅直接作为掩膜则保证了将亚微米间隙转移到器件结构层上时亚微米间隙具有良好的陡直度。微机械谐振器制作工艺步骤包括氮化硅沉积，多晶硅条形成，多晶硅条氧化，氮化硅刻蚀，引线孔形
是否PCT专利	是
公开日期	2010-12-15
申请日期	2010-08-03
语种	中文
专利申请号	201010244689.4
专利代理	潘振甦
内容类型	专利
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49258]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利
推荐引用方式 GB/T 7714	熊斌,徐德辉,吴国强,等. 亚微米间隙微结构的制作方法及其制作的微机械谐振器. CN101917174A. 2010-12-15.

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