| 一种测试加速度,压力和温度的集成硅芯片及制作方法 | |
| 李昕欣 ; 王权 | |
| 2009-10-07 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101551403 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种测试加速度，压力和温度的集成硅芯片及制作方法，其 特征是同一套微加工工艺将热电堆的加速度传感器、压力传感器和温度传感 器制作在一个芯片上。采用热对流式的加速度传感器，是用多晶硅电阻作为 加热器，用两对金属(铝、钛钨金等)和P型多晶硅或N型构成热电堆检测由 加速度引起的密封空腔内的温度差，来检测加速度。用低应力的氮化硅薄膜 作为压力传感器芯片的核心结构层，多晶硅薄膜形成力敏电阻条，在LPCVD 炉中用TEOS栓形成真空参考腔，制作出高精度的绝对压力传感器。同时用多 晶硅热敏电阻来检测温度变化， |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2009-10-07 |
| 申请日期 | 2009-05-22 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200910051766.1 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49079]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李昕欣,王权. 一种测试加速度,压力和温度的集成硅芯片及制作方法. CN101551403. 2009-10-07. |
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