| 用于相变存储器的M-Sb-Se相变薄膜材料 | |
| 凌云 ; 龚岳峰 ; 宋志棠 ; 封松林 | |
| 2009-07-22 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101488558 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明揭示了一种用于相变存储器的M-Sb-Se相变薄膜材料，其组分为(SbxSe1-x)1-yMy， y为0.2％-15％原子比，x为50％-95％原子比，掺杂元素M为钨元素、铝元素、铟元素、银元 素、铜元素、镍元素、镓元素、钛元素、锡元素、氧元素、及氮元素中的一者或两者。本发 明所提供的M-Sb-Se相变薄膜材料比常用的Ge2Sb2Te5材料具有更快的 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2009-07-22 |
| 申请日期 | 2009-02-25 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200910046633.5 |
| 专利代理 | 余明伟 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49041]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 凌云,龚岳峰,宋志棠,等. 用于相变存储器的M-Sb-Se相变薄膜材料. CN101488558. 2009-07-22. |
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