| 一种电阻转换存储单元及其方法 | |
| 张挺 ; 宋志棠 ; 丁晟 ; 刘波 ; 封松林 ; 陈邦明 | |
| 2009-05-13 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101430930 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种电阻转换存储单元及其方法，其结构包括：阈值电压可调的场效应晶体 管及其阈值电压调节电路；以及至少一个与上述每个场效应晶体管对应连接的电阻转换存储 单元。在存储器写、擦编程需要大电流时，通过晶体管体端电压的调整将晶体管的阈值电压 调低，从而获得较大的输出电流；而在读操作或者存储器待机时，则不调整阈值电压或将晶 体管的阈值电压调高，此外待机时还可获得较低的漏电流，提升存储器在待机时的稳定性， 避免串扰。通过阈值电压的降低，在RESET和SET编程时调低阈值电压；采用该发明选通相 变存储器，可以减 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2009-05-13 |
| 申请日期 | 2008-09-23 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200810200269.9 |
| 专利代理 | 余明伟 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48969]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张挺,宋志棠,丁晟,等. 一种电阻转换存储单元及其方法. CN101430930. 2009-05-13. |
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