| 经氧化物修饰的硼氢化锂储氢材料及制备方法 | |
| 余学斌 ; 吴铸 ; 陈秋荣 ; 李志林 ; 黄铁生 | |
| 2007-10-17 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101054162 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种经氧化物修饰的硼氢化锂储氢材料及制备方法，其特征
在于所述的储氢材料的通式为(100-x)LiBH4+XMeO，MeO为修饰用的氧
化物，X的质量百分数为10-80％。将LiBH4和所述的氧化物按上述通式混
合后，在惰性气氛保护下球磨，进行表面处理。所述的氧化物为TiO2、Fe2O3、
ZrO2、V2O5、SiO |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2007-10-17 |
| 申请日期 | 2007-04-03 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200710038985.7 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48467]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 余学斌,吴铸,陈秋荣,等. 经氧化物修饰的硼氢化锂储氢材料及制备方法. CN101054162. 2007-10-17. |
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