| 硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用 | |
| 张楷亮 ; 宋志棠 ; 刘波 ; 刘卫丽 ; 封松林 ; 陈邦明 | |
| 2005-05-18 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN1616572 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种用于硫系化合物相变薄膜材料GexSbyTe(1-x-y)化学机械抛光(CMP)的纳米抛光液及该化学机械抛光液在制备纳电子器件相变存储器中的应用。该CMP纳米抛光液包含有氧化剂、螯合剂、pH调节剂、纳米研磨料、抗蚀剂、表面活性剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境，主要用于制造相变存储器关键材料GexSbyTe(1-x-y)的CMP。利用上述抛 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2005-05-18 |
| 申请日期 | 2004-09-24 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200410066674.8 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48099]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张楷亮,宋志棠,刘波,等. 硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用. CN1616572. 2005-05-18. |
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