| An Optimized Layout with Low Parasitic Inductances for GaN HEMTs Based DC-DC Converter | |
| Wang Kangping; Ma Huan; Li Hongchang; Guo Yixuan; Yang Xu; Zeng Xiangjun; Yu Xiaoling | |
| 2015 | |
| 关键词 | DC-DC Converter layout parasitic inductance Gallium Nitride |
| 期号 | [db:dc_citation_issue] |
| DOI | [db:dc_identifier_doi] |
| 页码 | 948-951 |
| 会议录 | 2015 THIRTIETH ANNUAL IEEE APPLIED POWER ELECTRONICS CONFERENCE AND EXPOSITION (APEC 2015)
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| URL标识 | 查看原文 |
| ISSN号 | 1048-2334 |
| WOS记录号 | [DB:DC_IDENTIFIER_WOSID] |
| 内容类型 | 会议论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/3269626 |
| 专题 | 西安交通大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang Kangping,Ma Huan,Li Hongchang,et al. An Optimized Layout with Low Parasitic Inductances for GaN HEMTs Based DC-DC Converter[C]. 见:. |
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