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	A novel trench SOI LDMOS with a dual floating vertical field plate
	Cheng, Kun[1,2]; Hu, Shengdong[1,2,3]; Lei, Jianmei[3]; Yuan, Qi[1,2]; Jiang, Yuyu[1,2]; Huang, Ye[1,2]; Yang, Dong[1,2]; Lin, Zhi[1,2]; Zhou, Xichuan[1,2]; Tang, Fang[1,2]
	2017
卷号	109页码:134-144
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2977594
专题	重庆大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Cheng, Kun[1,2],Hu, Shengdong[1,2,3],Lei, Jianmei[3],et al. A novel trench SOI LDMOS with a dual floating vertical field plate[J],2017,109:134-144.
APA	Cheng, Kun[1,2].,Hu, Shengdong[1,2,3].,Lei, Jianmei[3].,Yuan, Qi[1,2].,Jiang, Yuyu[1,2].,...&Tang, Fang[1,2].(2017).A novel trench SOI LDMOS with a dual floating vertical field plate.,109,134-144.
MLA	Cheng, Kun[1,2],et al."A novel trench SOI LDMOS with a dual floating vertical field plate".109(2017):134-144.

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