| 129Xeq+轰击N型和P型Si表面时的电子发射产额研究 | |
| 曾利霞; 徐忠锋; 赵永涛; 吴帆; 刘学良; 程锐; 周贤明; 雷瑜; 刘世东; 张艳宁 | |
| 刊名 | 原子核物理评论
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| 2016 | |
| 关键词 | 电子发射产额 功函数 阈值速度 高电荷态离子 |
| ISSN号 | 1007-4627 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2960015 |
| 专题 | 西安交通大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曾利霞,徐忠锋,赵永涛,等. 129Xeq+轰击N型和P型Si表面时的电子发射产额研究[J]. 原子核物理评论,2016. |
| APA | 曾利霞.,徐忠锋.,赵永涛.,吴帆.,刘学良.,...&张艳宁.(2016).129Xeq+轰击N型和P型Si表面时的电子发射产额研究.原子核物理评论. |
| MLA | 曾利霞,et al."129Xeq+轰击N型和P型Si表面时的电子发射产额研究".原子核物理评论 (2016). |
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