CMOS整流二极管电路单元
刘欣; 刘昱; 张海英
2018-10-09
著作权人中国科学院微电子研究所
专利号CN201510058455.3
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明公开了一种CMOS整流二极管电路单元,包括一个PMOS晶体管、一个NMOS晶体管、第一偏置电压源和第二偏置电压源;所述PMOS晶体管的源极与所述第二偏置电压源的负端相连,并一起连接到整流二极管单元的正端,所述PMOS晶体管的栅极与所述第一偏置电压源的负端相连,所述PMOS晶体管的漏极和衬底连接在一起,并与所述NMOS晶体管的漏极和衬底相连;所述NMOS晶体管的源极与所述第一偏置电压源的正端相连,并一起连接到整流二极管单元的负端,所述NMOS晶体管的栅极与所述第二偏置电压源的正端相连。本发明提供的CMOS整流二极管电路单元不仅具有较低的开启电压,而且具有非常低的反向漏电,适用于在超低功耗整流电路中,可有效提高整流电路的效率。

公开日期2016-10-05
申请日期2015-02-04
语种中文
内容类型专利
源URL[http://159.226.55.107/handle/172511/18717]  
专题微电子研究所_健康电子研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
刘欣,刘昱,张海英. CMOS整流二极管电路单元. CN201510058455.3. 2018-10-09.
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