CMOS整流二极管电路单元 | |
刘欣![]() ![]() ![]() | |
2018-10-09 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
专利号 | CN201510058455.3 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 本发明公开了一种CMOS整流二极管电路单元,包括一个PMOS晶体管、一个NMOS晶体管、第一偏置电压源和第二偏置电压源;所述PMOS晶体管的源极与所述第二偏置电压源的负端相连,并一起连接到整流二极管单元的正端,所述PMOS晶体管的栅极与所述第一偏置电压源的负端相连,所述PMOS晶体管的漏极和衬底连接在一起,并与所述NMOS晶体管的漏极和衬底相连;所述NMOS晶体管的源极与所述第一偏置电压源的正端相连,并一起连接到整流二极管单元的负端,所述NMOS晶体管的栅极与所述第二偏置电压源的正端相连。本发明提供的CMOS整流二极管电路单元不仅具有较低的开启电压,而且具有非常低的反向漏电,适用于在超低功耗整流电路中,可有效提高整流电路的效率。 |
公开日期 | 2016-10-05 |
申请日期 | 2015-02-04 |
语种 | 中文 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18717] ![]() |
专题 | 微电子研究所_健康电子研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘欣,刘昱,张海英. CMOS整流二极管电路单元. CN201510058455.3. 2018-10-09. |
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