基于SiGe-0.13 μm X波段高效率功率放大器

	基于SiGe-0.13 μm X波段高效率功率放大器
	刘昱; 崔凯; 李志强; 张海英
刊名	微电子学与计算机
	2017-08-05
文献子类	期刊论文
英文摘要	基于ＩＢＭＳｉＧｅ０．１３μｍＢｉＣＭＯＳ工艺，设计了一个工作在超过ＢＶｃｅｏ的ＳｉＧｅＨＢＴｓｃｌａｓｓＥ功放，在产生高的输出功率的同时又保持了比较高的功率附加效率．利用ＳｉＧｅ堆叠Ｅ类结构来增加整体的电压摆幅，每个管子都是工作在安全操作区域，同时电压是超过ＢＶｃｅｏ的，进一步加大了功放的输出功率．设计了级间匹配网络，既保持了输出级比较高的击穿电压，又兼顾了功放的性能．在１０ＧＨｚ工作频率下，功放的峰值ＰＡＥ达到了４７．４％，同时其输出功率达到２１．４３ｄＢｍ．
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/18044]
专题	微电子研究所_健康电子研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘昱,崔凯,李志强,等. 基于SiGe-0.13 μm X波段高效率功率放大器[J]. 微电子学与计算机,2017.
APA	刘昱,崔凯,李志强,&张海英.(2017).基于SiGe-0.13 μm X波段高效率功率放大器.微电子学与计算机.
MLA	刘昱,et al."基于SiGe-0.13 μm X波段高效率功率放大器".微电子学与计算机 (2017).