半导体器件及其制造方法

	半导体器件及其制造方法
	罗军; 钟汇才; 朱慧珑
	2018-07-20
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201410023712.5
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	提供了一种半导体器件及其制造方法。一示例方法可以包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍；在衬底上形成沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个栅极线，每一栅极线经由栅介质层与相应的鳍相交；在栅极线的侧壁上形成电介质侧墙；在鳍的未被栅极线和侧墙覆盖的表面上外延生长半导体层；在衬底上形成晶体半导体层；以及在预定区域处，形成器件间绝缘隔离部，其中至少一条栅极线被相应的绝缘隔离部分为两个或更多部分，且在沿第一方向相对的各对鳍中，至少一对鳍被相应的绝缘隔离部隔离。
公开日期	2015-07-22
申请日期	2014-01-20
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18811]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	罗军,钟汇才,朱慧珑. 半导体器件及其制造方法. CN201410023712.5. 2018-07-20.