半导体器件制造方法

	半导体器件制造方法
	李俊峰; 唐波; 唐兆云; 闫江
	2018-02-13
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201310125650.4
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成鳍片结构，具有较宽的第二部分以及较窄的第一部分，其中第一部分侧面具有侧墙；在衬底以及鳍片结构上形成层间介质层；去除侧墙，在层间介质层中留下栅极沟槽；在栅极沟槽中填充栅极堆叠。依照本发明的半导体器件制造方法，在上窄下宽的鳍片结构顶部以及侧面形成包围的栅极堆叠，准确地控制了鳍片的高度，有效增大了器件栅极与沟道区、源漏区的接触面积，增强了器件的控制性能。
公开日期	2014-10-15
申请日期	2013-04-11
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18756]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	李俊峰,唐波,唐兆云,等. 半导体器件制造方法. CN201310125650.4. 2018-02-13.