半导体器件及其制造方法

	半导体器件及其制造方法
	徐强; 赵超; 李俊峰; 闫江; 杨涛; 王桂磊
	2018-02-13
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210473032.4
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成栅极沟槽；在栅极沟槽中依次形成栅极绝缘层、栅极导电层；在栅极导电层上形成氮化钨材质的阻挡层；采用ALD法，在阻挡层上形成金属钨层。依照本发明的半导体器件及其制造方法，在ALD法沉积W之前形成WN的阻挡层，防止了硼向下扩散至金属栅极以及高k材料，提升了器件的可靠性，此外还进一步降低了栅极电阻。
公开日期	2014-06-04
申请日期	2012-11-20
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18753]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	徐强,赵超,李俊峰,等. 半导体器件及其制造方法. CN201210473032.4. 2018-02-13.