半导体器件制造方法

	半导体器件制造方法
	朱慧珑; 殷华湘; 钟汇才
	2018-01-02
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201210484830.7
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；在鳍片上形成假栅极绝缘层和第一假栅极层；在第一假栅极层上形成第二假栅极层；图案化第二假栅极层、第一假栅极层、假栅极绝缘层，形成假栅极堆叠结构；在假栅极堆叠结构沿第一方向的两侧形成栅极侧墙；去除假栅极堆叠结构，形成栅极沟槽；在栅极沟槽中形成栅极堆叠结构。依照本发明的半导体器件制造方法，采用多层假栅极结构，抑制了源漏外延期间假栅极层的横向生长，有效控制了假栅极剖面形态，提高了线条精细度，有效提高了器件的性能和可靠性。
公开日期	2014-06-04
申请日期	2012-11-25
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18739]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	朱慧珑,殷华湘,钟汇才. 半导体器件制造方法. CN201210484830.7. 2018-01-02.