半导体器件及其制造方法

	半导体器件及其制造方法
	殷华湘; 徐秋霞; 陈大鹏
	2015-08-05
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201110300828.5
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	一种半导体器件及其制造方法，采用PECVD在NMOS器件上覆盖一层具有高紫外光吸收系数的氮化硅膜，该氮化硅膜在受激激光表面退火处理时，能很好地吸收紫外光，从而获得良好的去氢效果，并在去氢后，氮化硅膜具有很高的张应力；由于氮化硅膜的紫外光吸收系数高，因此不需要对衬底进行加热，避免了由于需要加热衬底去氢而给器件带来的不良影响，保存了PECVD工艺带来的热预算。
公开日期	2013-04-10
申请日期	2011-09-29
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/15614]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	殷华湘,徐秋霞,陈大鹏. 半导体器件及其制造方法. CN201110300828.5. 2015-08-05.