层间电介质层的平面化方法

	层间电介质层的平面化方法
	孟令款; 殷华湘; 徐秋霞; 杨涛; 陈大鹏
	2014-01-08
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201010601744.0
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本申请公开了一种层间电介质层的平面化方法，包括：在晶片上方提供包括至少一个牺牲层和位于所述至少一个牺牲层下方的绝缘层的多层结构；对多层结构进行第一次反应离子刻蚀，其中控制反应室气压，使得对所述至少一个牺牲层位于晶片中央位置的部分的刻蚀速率大于位于晶片边缘位置的部分的刻蚀速率，以获得凹形刻蚀剖面；对多层结构进行第二次反应离子刻蚀，完全去除牺牲层以及去除绝缘层的一部分，以获得具有平整表面的绝缘层作为层间电介质层。该平面化方法可以用于代替化学机械平面化而提供具有平整表面的层间电介质层，并且获得了更大的可用晶片面积。
公开日期	2012-07-04
申请日期	2010-12-22
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/14525]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	孟令款,殷华湘,徐秋霞,等. 层间电介质层的平面化方法. CN201010601744.0. 2014-01-08.