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	Comprehensive understanding of the effect of electric dipole at high-k/SiO2 interface on the flatband voltage shift in metal-oxide-semiconductor device
	Han, K; Wang, WW; Ma, XL; Chen, DP; Zhang, J; Du, J; Huang, AP; Xiong, YH; Wang, XL
	2010
内容类型	外文期刊
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/8994]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	Han, K,Wang, WW,Ma, XL,et al. Comprehensive understanding of the effect of electric dipole at high-k/SiO2 interface on the flatband voltage shift in metal-oxide-semiconductor device. 2010.

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