| 一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法 | |
| 夏洋; 饶志鹏; 刘键 | |
| 2010-11-16 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明涉及石墨烯的制备技术,具体涉及一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法,包括如下步骤:将碳化硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中;向所述原子层沉积设备反应腔中通入碳源气体,所述碳源气体作为第一反应前驱体在碳化硅衬底表面进行化学吸附;所述的碳源气体与通入的第二反应前驱体发生卤代反应,并产生相应的副产物,直到碳化硅衬底表面的碳源气体完全消耗;所述卤代反应停止后,相应的副产物经过光照在碳化硅衬底表面形成单原子层石墨烯薄膜。本发明利用原子层沉积技术制备石墨烯薄膜,该制备方法操作简单,转化率高,能耗小,且制得的石墨烯薄膜结构完整,厚度均一,并为单原子层厚度。 |
| 公开日期 | 2013-11-05 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/11609]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子仪器设备研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 夏洋,饶志鹏,刘键. 一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法. 2010-11-16. |
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