QQ客服 官方微博 反馈留言

	一种氮化铝薄膜的制备方法
	李勇滔; 饶志鹏; 万军; 夏洋; 李超波; 刘键; 陈波; 黄成强; 石莎莉
	2011-09-26
著作权人	中国科学院微电子研究所
文献子类	发明
英文摘要	本发明涉及一种用原子层沉积设备制备氮化铝薄膜的方法。所述制备方法，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向原子层沉积设备反应腔中通入含铝物质，含碳物质与硅衬底表面发生化学反应，使得含铝物质中的铝原子吸附在硅衬底表面；向原子层沉积设备反应腔中通入含氮物质，含氮物质与硅衬底表面发生卤代反应，含氮物质中的氮氮原子与硅衬底表面的铝原子形成铝氮键，待反应完全后，硅衬底表面即生成氮化铝薄膜结构。本发明利用ALD设备和常见的前躯体，在常温低压下就能制备出氮化铝薄膜，并且可有效的降低能耗，提高氮化铝薄膜的均一性和降低薄膜粗糙度，而且在制作过程中还能有效的降低Al水解带来的不利影响。
公开日期	2012-11-20
状态	公开
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/10129]
专题	微电子研究所_微电子仪器设备研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	李勇滔,饶志鹏,万军,等. 一种氮化铝薄膜的制备方法. 2011-09-26.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。