| 一种碳化硅薄膜的制备方法 | |
| 刘键; 饶志鹏; 万军; 夏洋; 李超波; 陈波; 黄成强; 石莎莉; 李勇滔 | |
| 2011-09-26 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明涉及碳化硅薄膜制备技术领域，具体涉及一种用原子层沉积设备制备碳化硅薄膜的方法。所述制备方法，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向原子层沉积设备反应腔中通入含碳物质，含碳物质与硅衬底表面发生碳化学吸附，使得含碳物质中的碳原子吸附在硅衬底表面；向原子层沉积设备反应腔中通入含硅物质，含硅物质与硅衬底表面发生卤代反应，含硅物质中的硅原子与硅衬底表面的碳原子形成碳硅键，待反应完全后，硅衬底表面即生成碳化硅薄膜结构。本发明使用原子层沉积设备，利用衬底的晶格结构对生长的影响，使得长出的碳化硅薄膜结构具有完整的晶格，同时也使得在硅基上生长的薄膜的结构性能得到提高。 |
| 公开日期 | 2012-11-20 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/10127]  |
| 专题 | 微电子研究所_微电子仪器设备研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘键,饶志鹏,万军,等. 一种碳化硅薄膜的制备方法. 2011-09-26. |
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