面向 MEMS 红外光源的高辐射率纳米硅结构制备

	面向 MEMS 红外光源的高辐射率纳米硅结构制备
	明安杰; 谭秋林; 刘卫兵; 熊继军; 王玮冰; 姚俊; 张岳; 岱钦; 毛海央; 孙西龙
刊名	仪表技术与传感器
	2017-06-14
文献子类	期刊论文
英文摘要	通过制备面向 MEMS 红外光源的高辐射率多晶硅纳米柱状结构和单晶硅纳米孔结构，以提升红外源表面辐射率，降低器件功耗。制备方法分别为反应离子刻蚀(reactive－ion－etching，ＲIE)及等离子浸没离子注入(plasma immerse ion implantation，PIII)工艺对单晶硅以及铝电极掩膜的多晶硅表面调控修饰制备。并对 2 种纳米硅结构进行了吸收率测试，对铝电极掩膜进行了引线键合破坏拉力测试。测试表明，纳米硅结构在 3～5 μm 波段的辐射率可以达到 85%以上，暴露在刻蚀气氛后的铝电极掩膜引线键合强度可以达到器件工艺要求。
内容类型	期刊论文
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/17990]
专题	微电子研究所_智能感知研发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	明安杰,谭秋林,刘卫兵,等. 面向 MEMS 红外光源的高辐射率纳米硅结构制备[J]. 仪表技术与传感器,2017.
APA	明安杰.,谭秋林.,刘卫兵.,熊继军.,王玮冰.,...&孙西龙.(2017).面向 MEMS 红外光源的高辐射率纳米硅结构制备.仪表技术与传感器.
MLA	明安杰,et al."面向 MEMS 红外光源的高辐射率纳米硅结构制备".仪表技术与传感器 (2017).