本发明涉及通过对GaN/AlGaN HEMT器件进行显微红外测量，得到器件的热阻大小及峰值结温的变化，获得不同结构和材料器件的显微红外热像图，通过分析得到其热阻的变化率，由参数的变化以及热像图的分析结果，获得材料、器件结构以及工艺与显微红外热像结果之间的相关性，从而实现对GaN基内匹配器件进行热特性可靠性评估的方法。该方法首先采用显微红外的测量方法，获得不同外延材料和器件的显微红外热像图，从而得到器件在不同基板温度和偏置条件下的峰值结温，进而得到该器件的热阻。进行器件的材料、工艺和器件结构优劣的评价。该方法提供了一种有效进行GaN基HEMT内匹配器件热特性表征的方法。采用一种简易可操作的方法实现了对GaN基HEMT器件可靠性的初步评估。