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	A CMOS Compatible, Forming Free TaON-based ReRAM with Low Soft Errors and Good Retention
	Tai L(台路); Xu XX(许晓欣); Yuan P(袁鹏); Yu J(余杰); Luo Q(罗庆); Lv HB(吕杭炳); Liu M(刘明)
	2018-11-21
内容类型	会议论文
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/19128]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	Tai L,Xu XX,Yuan P,et al. A CMOS Compatible, Forming Free TaON-based ReRAM with Low Soft Errors and Good Retention[C]. 见:.

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