QQ客服 官方微博 反馈留言

	40×Retention Improvement by Eliminating Resistance Relaxation with High Temperature Forming in 28 nm RRAM Chip
	Xu XX(许晓欣); Tai L(台路); Gong TC(龚天成); Yin JH(殷嘉浩); Peng Huang; Yu J(余杰); Dong DN(董大年); Luo Q(罗庆); Liu J(刘璟); Yu ZA(余兆安)
	2018-12-05
内容类型	会议论文
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/19127]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	Xu XX,Tai L,Gong TC,et al. 40×Retention Improvement by Eliminating Resistance Relaxation with High Temperature Forming in 28 nm RRAM Chip[C]. 见:.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。